Intel今天公布了全新的工艺路线图，10nm Enhaned SuperFine、7nm分别改名为Intel 7、Intel 4(奇怪的写法需要适应适应)，分别用于年底的Alder Lake 12代酷睿/明年的Raptor Lake 13代酷睿、后年的Meteor Lake 14代酷睿。

　　再往后则是Intel 3，以及全新晶体管架构的Intel 20A、Intel 18A。

　　Meteor Lake此前官方也披露过，计算模块(Compute Tile/Compute Die)也就是CPU内核部分今年第二季度完成流片，首次在桌面采用Foveros混合封装。

　　按照Intel披露的最新信息，Foveros将具备晶圆级的封装能力，史上第一次提供3D堆叠解决方案，不同IP模块可以使用不同工艺，封装凸点间距(bump pitch) 36-50微米。

　　Meteor Lake上用的Foveros封装技术已经是第二代，之前首发的是Lakefield，也是大小核混合架构的尝鲜之作。

　　Intel 4工艺Meteor Lake自曝：热设计功耗最低5W

　　根据最新公布的示意图，Meteor Lake主要有三个部分封装在一起，一是计算模块，二是GPU模块，多达96-192个计算单元，三是SoC-LP，应该是包含内存控制器、PCIe控制器等输入输出部分，类似AMD锐龙/霄龙里的IO Die。

　　另外，Meteor Lake的热设计功耗范围是最低5W、最高125W，这也和当下的产品线保持基本一致，Alder Lake 12代酷睿在移动端最低就可以做到5W，而这在以往都是Atom低功耗架构才能达成的。

　　Intel 4工艺Meteor Lake自曝：热设计功耗最低5W

　　PS：Intel Xe HPC高性能计算架构的Ponte Vecchio计算卡，也会使用第二代Foveros封装，同时还有EMIB封装，首次综合使用。

　　Intel 4工艺Meteor Lake自曝：热设计功耗最低5W。

　　10年前的2011年，Intel首发了FinFET工艺，22nm FinFET工艺当时远超台积电、三星的28nm，技术优势领先友商至少三年半（Intel之前的官方表态），然而14nm节点之后，Intel落伍了。

　　从2014年到2021年，Intel的主流CPU工艺都是14nm，打磨出了14nm、14nm+及14nm++三代工艺，创造了8核5GHz处理器的神话，性能还是很强大的。

　　然而这10年中台积电抓住了移动处理器的机会，工艺一路升级到了现在的7nm、5nm，哪怕被认为技术水平有水分，但台积电已然成为芯片制造的王者。

　　如果大家了解了这个背景，那么Intel今天公布的新一代CPU工艺路线图就更好理解了，3月份上任的新CEO基辛格是有着30多年经验的Intel老将，见证了Intel工艺最辉煌的时代，现在他要重整旗鼓。

　　当然，这次的改革有一点让网友感觉惊讶的地方，那就是Intel真的如之前网友调侃的段子那样，上来就玩了一把给工艺改名的游戏——年底的10nm ESF工艺改名为Intel 7，计划中的7nm改名为Intel 4，未来还会继续推出Intel 3工艺，这次的改名直接让Intel跟台积电站到同一起跑线上了，毕竟台积电2023年量产的也是3nm工艺，同样也是最后一代FinFET工艺。

　　Intel这次推出的工艺不仅仅是改名那么简单，有一件事非常值得关注，那就是Intel要率先从纳米时代进入埃米时代（?ngstrom，1纳米等于10埃米），这就是Intel预计2024年推出的Intel 20A工艺，其中的A就指的是埃米。

　　到了埃米时代，20A工艺有两大革命性新技术，RibbonFET及PowerVia，前者就是类似三星的GAA环绕栅极晶体管，PoerVia则首创取消晶圆前侧的供电走线，改用后置供电，也可以优化信号传输。

　　现在20A工艺的具体细节还没公布，但从字面意义上来看，20A差不多是2nm工艺的水平，倒也符合3nm之后的摩尔定律进步。

　　20A工艺之后还有18A工艺，除了继续改进RibbonFET及PowerVia技术之外，Intel预计还会首发NA 0.55的下一代EUV光刻机。

　　如果用一句话解释Intel的目标，那就是CEO基辛格日前在媒体采访中的表态——在2024年到2025年间，Intel将重返半导体技术领先地位，没明说的言外之意就是要超越三星、太台积电，同时确保美国在半导体技术上的地位无可动摇。